其他產(chǎn)品及廠家

        德國(guó)PTL試驗(yàn)彎指
        更新時(shí)間:2025-12-19
        金屬導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀
        加工定制:是類型:指針式電阻測(cè)量?jī)x表品牌:yaos堯順型號(hào):dx200ghd測(cè)量范圍:10-5--105ω(mω)電 源:220±10%測(cè)試電壓:2 mv、20 mv、200 mv、2v(v)精度:0.1%重量:8.5(kg)尺 寸:345mm*480mm*145mm規(guī)格:φ30x180
        更新時(shí)間:2025-12-19
        GSC60CN多功能電氣安全電能質(zhì)量綜合分析儀,安規(guī)儀
        原裝進(jìn)口產(chǎn)品,觸摸屏操作簡(jiǎn)單。由普通電池供電,方便操作現(xiàn)場(chǎng)更換,功能強(qiáng)大,可以測(cè)量電能質(zhì)量、連續(xù)性、絕緣電阻、線路/回路阻抗、接地電阻與土壤電阻率、rcd跳閘時(shí)間和電流,無(wú)跳閘時(shí)的接地回路阻抗、接觸電壓ut、相序、泄露電流、環(huán)境參數(shù)等
        更新時(shí)間:2025-12-19
        高壓漏電起痕試驗(yàn)儀
        hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超g
        更新時(shí)間:2025-12-19
        耐漏電起痕試驗(yàn)儀
        hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
        更新時(shí)間:2025-12-19
        漏電起痕指數(shù)CTI測(cè)試儀
        hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
        更新時(shí)間:2025-12-19
        高壓漏電檢測(cè)儀
        hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
        更新時(shí)間:2025-12-19
        耐電痕試驗(yàn)儀
        hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
        更新時(shí)間:2025-12-19
        表面粗糙度儀
        美國(guó)lee粗糙度儀粗糙度儀rl100是美國(guó)lee公司新出的新一代粗糙度儀,也叫袖珍便攜式表面粗糙度儀。它具有測(cè)量精度高、測(cè)量范圍寬、操作簡(jiǎn)便、便于攜帶、工作穩(wěn)定等特點(diǎn),可以廣泛應(yīng)用于各種金屬與非金屬的加工表面的檢測(cè),該粗糙度儀是傳感器主機(jī)一體化的袖珍式粗糙度儀,具有手持式特點(diǎn),更適宜在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)使用。外形采用拉鋁模具設(shè)計(jì),堅(jiān)固耐用,抗電磁干擾能力顯著,符合當(dāng)今設(shè)計(jì)新趨勢(shì)。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        低阻抗率計(jì) MCP-型 (手提式)
        商品名稱:低阻抗率計(jì) mcp-t370型 (手提式)loresta-ax特色:維持安定之高質(zhì)量,依據(jù)之四探針理論之高精度之阻抗率計(jì)操作簡(jiǎn)單,現(xiàn)場(chǎng)使用攜帶型方便,用于生產(chǎn)技術(shù)、質(zhì)量管理測(cè)定范圍:10-2~106ω資料輸出:usb memory體積:約 228 w× 85 d× 65 hmm, 420g標(biāo)準(zhǔn)配備
        更新時(shí)間:2025-12-18
        過(guò)濾器完整性測(cè)試儀
        過(guò)濾器完整性測(cè)試儀提供多種測(cè)試環(huán)境與測(cè)試方式,可以對(duì)親水性膜、疏水性膜、對(duì)稱性膜,非對(duì)稱性膜等多種微孔濾膜、濾芯以及過(guò)濾器的氣密性、完整性進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)系統(tǒng)具備歷史數(shù)據(jù)記錄和打印的功能,并且可以按照要求提供上位機(jī)軟件。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        自動(dòng)過(guò)濾器完整性測(cè)試儀
        自動(dòng)過(guò)濾器完整性測(cè)試儀提供多種測(cè)試環(huán)境與測(cè)試方式,可以對(duì)親水性膜、疏水性膜、對(duì)稱性膜,非對(duì)稱性膜等多種微孔濾膜、濾芯以及過(guò)濾器的氣密性、完整性進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)系統(tǒng)具備歷史數(shù)據(jù)記錄和打印的功能,并且可以按照要求提供上位機(jī)軟件。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        全自動(dòng)過(guò)濾器完整性測(cè)試儀
        全自動(dòng)過(guò)濾器完整性測(cè)試儀提供多種測(cè)試環(huán)境與測(cè)試方式,可以對(duì)親水性膜、疏水性膜、對(duì)稱性膜,非對(duì)稱性膜等多種微孔濾膜、濾芯以及過(guò)濾器的氣密性、完整性進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)系統(tǒng)具備歷史數(shù)據(jù)記錄和打印的功能,并且可以按照要求提供上位機(jī)軟件。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        便攜式過(guò)濾器完整性測(cè)試儀
        便攜式過(guò)濾器完整性測(cè)試儀提供多種測(cè)試環(huán)境與測(cè)試方式,可以對(duì)親水性膜、疏水性膜、對(duì)稱性膜,非對(duì)稱性膜等多種微孔濾膜、濾芯以及過(guò)濾器的氣密性、完整性進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)系統(tǒng)具備歷史數(shù)據(jù)記錄和打印的功能,并且可以按照要求提供上位機(jī)軟件。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        濾芯完整性測(cè)試儀
        濾芯完整性測(cè)試儀提供多種測(cè)試環(huán)境與測(cè)試方式,可以對(duì)親水性膜、疏水性膜、對(duì)稱性膜,非對(duì)稱性膜等多種微孔濾膜、濾芯以及過(guò)濾器的氣密性、完整性進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)系統(tǒng)具備歷史數(shù)據(jù)記錄和打印的功能,并且可以按照要求提供上位機(jī)軟件。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        出租Tektronix USB2.0測(cè)試夾具
        出租tektronix usb2.0測(cè)試夾具
        更新時(shí)間:2025-12-18
        泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具
        泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具,硬件測(cè)試,ddr測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
        更新時(shí)間:2025-12-18
        USB2.0 眼圖測(cè)試模板、抖動(dòng)校準(zhǔn)、時(shí)序校準(zhǔn)、USB2.0 信號(hào)完整性、眼圖模板合規(guī)性、高速接口抖動(dòng)時(shí)序優(yōu)化
        ayi-usb2-at是阿儀網(wǎng)推出的高集成度自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái),專為usb2.0眼圖模板、抖動(dòng)及時(shí)序的驗(yàn)證而設(shè)計(jì)。系統(tǒng)采用模塊化硬件與智能軟件,一鍵執(zhí)行全項(xiàng)合規(guī)測(cè)試,自動(dòng)分離抖動(dòng)成分,測(cè)量時(shí)序參數(shù),并生成符合usb-if格式的詳細(xì)診斷報(bào)告,極大提升認(rèn)證效率與問(wèn)題定位精度。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        USB3.0 接收端、受壓眼圖校準(zhǔn)、眼高恢復(fù)、CTLE 均衡器校準(zhǔn)、損耗模擬、順企網(wǎng)校準(zhǔn)方案、USB-IF 受壓測(cè)試
        uat-ec5000是業(yè)界針對(duì)usb3.0接收端受壓眼圖的智能校準(zhǔn)平臺(tái),融合動(dòng)態(tài)基線補(bǔ)償、本底抖動(dòng)剝離、眼圖傾斜校正三大專利技術(shù)。系統(tǒng)通過(guò)ai驅(qū)動(dòng)的高精度信號(hào)重構(gòu),在極端壓力下仍可保證眼高測(cè)量誤差<±1%,為汽車電子/工業(yè)級(jí)應(yīng)用提供可靠測(cè)試基準(zhǔn)。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        USB3.0 測(cè)試儀器選型、眼高測(cè)試儀器、時(shí)序測(cè)試設(shè)備、5Gbps 高速接口儀器、示波器選型、USB-IF 認(rèn)證儀器配置
        uat-8000是阿儀網(wǎng)推出的專業(yè)級(jí)usb3.0/3.1/3.2信號(hào)完整性測(cè)試平臺(tái)。系統(tǒng)集成了高性能示波器硬件與自動(dòng)化分析軟件,專為測(cè)量眼高、抖動(dòng)、時(shí)序等關(guān)鍵參數(shù)而優(yōu)化,提供從自動(dòng)化合規(guī)性測(cè)試到深度信號(hào)診斷的一站式解決方案,大幅提升研發(fā)驗(yàn)證與認(rèn)證測(cè)試效率。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題
        mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題mipi是2003年由arm,nokia,st,it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟,旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口,顯示接口,射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化,減少兼容性問(wèn)題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試
        mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試基于示波器的當(dāng)抖動(dòng)測(cè)量工具在條通道上只提供個(gè)眼圖。在通用測(cè)量中,這些工具只有6-8個(gè)測(cè)量項(xiàng)目。dpojet全面支持所有通道,包括同時(shí)測(cè)量每條通道的眼圖。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 MIPI驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
        mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 mipi驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
        更新時(shí)間:2025-12-18
        硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題 MIPI接口的DSI的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
        硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決 MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng)
        mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn)
        mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題
        mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI攝像頭 MIPI眼圖測(cè)試 MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決
        mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面,再回顧下數(shù)據(jù)格式,加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式:escape mode, high-speed (burst) mode and control mode,下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序:
        更新時(shí)間:2025-12-18
        日本強(qiáng)力Kanetec高斯計(jì)TM-801EXP
        日本強(qiáng)力kanetec高斯計(jì)tm-801exp產(chǎn)品說(shuō)明:tm-701的容易使用性能沒(méi)有改變,但是實(shí)現(xiàn)了性能的大幅度提高!輕便型的新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量器
        更新時(shí)間:2025-12-18
        解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程 MIPI接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法
        解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法依據(jù)ccir編碼表,sav和evav之間的保護(hù)數(shù)據(jù)是被編碼過(guò)的,使用這種方法,編碼器可以糾正1-bit錯(cuò)誤,可以檢查2-bit的錯(cuò)誤。該特征只是在csi的ccir編碼中,僅僅是奇偶交錯(cuò)模式中支持。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        分析與解決方法 MIPI C-PHY D-PHY 眼圖測(cè)試
        分析與解決方法 mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試當(dāng)幀結(jié)束或者是個(gè)在rxfifo中的完整的幀數(shù)據(jù)被全部讀出時(shí),eof中斷就產(chǎn)生了,eof并不在csi的prp模式中使用。該中斷是用在ccir奇偶域交錯(cuò)的模式下使用,該中斷當(dāng)field 1 和field 2交錯(cuò)的時(shí)候產(chǎn)生。f1_int和f2_int會(huì)產(chǎn)生
        更新時(shí)間:2025-12-18
        解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程 MIPI接口屏閃屏的測(cè)試
        解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試bayer數(shù)據(jù)是個(gè)從圖像傳感器獲得典型的行數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)寬度定要通過(guò)軟件轉(zhuǎn)化為rgb空間或者是yuv空間的數(shù)據(jù)格式。pack_dir bit設(shè)置為0,表示系統(tǒng)是小端,不是大端系統(tǒng)。使用p0,p1,p2,p3存放了打包了的數(shù)據(jù)內(nèi)容,p0是個(gè)data,依次,p3是個(gè)data.
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI CLK眼圖 DATA眼圖測(cè)試與分析 解決MIPI屏黑屏問(wèn)題
        mipi clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口,可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。我們的攝像頭是ov9660,輸出設(shè)定為yuv模式,因此,csi獲取的數(shù)據(jù)也是yuv格式的數(shù)據(jù),因此還需要通過(guò)軟件,將yuv的格式轉(zhuǎn)化為rgb565、rgb656、rgb888格式放到lcdc對(duì)應(yīng)的memory進(jìn)行顯示輸出。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI C-PHY D-PHY 眼圖測(cè)試 MIPI屏 初始化指令問(wèn)題
        mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試 mipi屏 初始化指令問(wèn)題像素可以放映到你的抓圖上面的大小,該像素就是說(shuō)明你的cmos或者是ccd感光元件的像素點(diǎn)多少,可以想象在相同的面積上,數(shù)量越多,感光元件肯定要越小,感光元件小,那么圖像的質(zhì)量其實(shí)會(huì)變差,這個(gè)當(dāng)然可以理解,但是從大的方面來(lái)說(shuō),只要鏡頭好,光源充足,那么效果也會(huì)變好,這樣畫面就比像素低的更加的細(xì)膩,所以高像素的好處就在這里。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        MIPI眼圖 數(shù)據(jù) CLK眼圖 DATA眼圖測(cè)試與分析 解決MIPI屏黑屏問(wèn)題 MIPI調(diào)試過(guò)程
        mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口,可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        LPDDR5 存儲(chǔ)器芯片測(cè)試,LPDDR5 眼圖測(cè)試,LPDDR5 時(shí)序抖動(dòng)測(cè)試,JEDEC JESD209-5 合規(guī)測(cè)試,高速存儲(chǔ)器信號(hào)完整性測(cè)試
        ats-msi 4000是阿儀網(wǎng)針對(duì)lpddr4及高速存儲(chǔ)器芯片推出的專業(yè)級(jí)信號(hào)完整性測(cè)試平臺(tái)。系統(tǒng)深度融合高精度眼圖分析、皮秒級(jí)時(shí)序測(cè)量與深度抖動(dòng)分解功能,提供從研發(fā)調(diào)試、預(yù)合規(guī)驗(yàn)證到失效分析的完整解決方案。其應(yīng)對(duì)低電壓、高速度的優(yōu)化設(shè)計(jì),特別適合移動(dòng)設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)器接口的嚴(yán)苛驗(yàn)證需求。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        LPDDR4替代驗(yàn)證系統(tǒng) LPDVT-4000
        lpdvt-4000是阿儀網(wǎng)專為lpddr4國(guó)產(chǎn)化替代設(shè)計(jì)的性能驗(yàn)證平臺(tái),支持4266mbps高速測(cè)試,提供從基礎(chǔ)功能到可靠性的全流程驗(yàn)證方案,重點(diǎn)解決低電壓、高速度帶來(lái)的測(cè)試挑戰(zhàn)。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭,硬件測(cè)試,開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
        misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
        更新時(shí)間:2025-12-18
        Nemtest dito靜電放電模擬器,硬件測(cè)試,開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
        misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
        更新時(shí)間:2025-12-18
        Pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
        pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真,那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,如果要改善, 只能再改板調(diào)整,還可能出現(xiàn)改板很多次的情況,這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        梅特勒電極(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣)
        梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣) 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
        更新時(shí)間:2025-12-18
        Nand Flash 眼圖測(cè)試, 時(shí)序測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試 幅度測(cè)試操作細(xì)節(jié)
        nfps-5000是阿儀網(wǎng)專為nand flash測(cè)試開(kāi)發(fā)的精密測(cè)試平臺(tái),集成四大測(cè)試模塊,提供從基礎(chǔ)測(cè)試到分析的全套解決方案。系統(tǒng)支持自動(dòng)化測(cè)試流程,大幅提升測(cè)試效率和準(zhǔn)確性。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
        emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
        emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
        emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
        更新時(shí)間:2025-12-18
        EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
        emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
        emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開(kāi),屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
        相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō),emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
        更新時(shí)間:2025-12-18
        EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
        emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
        更新時(shí)間:2025-12-18

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